PL Mapping光致发光扫描系统

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PL Mapping 光致发光扫描系统

 

PL Mapping光致发光扫描系统

 

應用領域:

常規的光致發光測量;
III-V族化合物半導體材料光致發光測量;
熒光性;
LD, LED外延晶片PL扫描测量;

儀器特點:

高品質及中等價位的PL掃描系統(高性價比);
波长范围宽广(UV-VIS-NIR, 350nm to 2.2um);
噪聲低,高PL信號探測;
設計緊湊,易于調諧;
各種激發激光源可選;
易于發現峰及FWHM;

儀器規格:

1 、光致发光样品腔
10x M-Plan镜头颜色修正,波长范围:350-1800nm
工作距离:30.5mm, 20mm FL, z轴可调
系統空間分辨率:10微米(1微米選配)
鏡子帶孔洞作爲激光束及PL信號的通道
Iris光圈用于激光束的調整
可变ND过滤器用于激光能量的控制(99% to 2%)
10毫米孔洞PL信號校准鏡頭
馬達控制的XY台,最大速度30毫米/秒,1微米掃描分辨率
外延晶片樣品盤
包括高分辨控制器和電纜

2、IG512近红外光谱仪,900-1700nm, 512像素, InGaAs阵列
25um x 500um像素尺寸,14bits, 2.5MHz数字转换器, f/4, 40mm FL
探测范围:900nm全谱,300gr/mm, 1um blaze grating
包括SMA905, 400um多模光纤,1米长

3、EPP2000-VIS(350-1150nm)用于紫外-可見光,衍射光柵光譜儀
f/4, symX-Czerny-turner类型
分辨率:1.6nm (50um狭缝,@600gr/mm grating)
包括2048像素CCD探測器,12bit數字轉換器
600gr/mm grating
接口:USB-2.0
SMA905光纖光學輸入,0.22NA,400um多模光纖,1米長

4、激光器
LDM830100CWA 830nm Solid State Laser
FKL532.50.CWA.L 532nm Solid State Laser
IK3501R-G, 325nm HeCd Laser
Other lasers wavelength(s) (e.g. 266nm, 488nm, 405nm, 514nm, 785nm)

PL Mapping光致发光扫描系统


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